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Sinomags STK-616E 是一款芯片集成赌钱网,可感應 SOIC-封裝一半引線中流過的電流。該導電銅線路徑的功耗非常低 (0.7 - 0.8mΩ)。在塑料封裝內相對于單片 CMOS 傳感器的位置固定電流導體,即可獲得經出廠校準的全集成電磁效應芯片(TMR隧道磁阻技術)赌钱网。

在封裝內部,電流產生的磁通密度由兩組電磁效應芯片以差分方式感應。因此,在快速模擬前端,外部共模場的影響降至最小。這些外部場源自 IC 周圍密集的電力電子元件和電感,甚至可能來自地球磁場。之后,與流過引線框架的電流成比例的殘余信號將會放大,從而提供高速線性模擬量輸出電壓。

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TMR隧道磁阻與電流導體極為貼近可確保在整個溫度范圍內獲得良好的信噪比和準確的信號。表面貼裝傳感器體積小巧,可節省電路板空間并降低成本,同時保持封裝的初級引線與相對次級側引線之間的高電壓隔離額定值。

該產品適用于航空,電子,雷達和電子對抗和工業應用,如高端電源、逆變器、服務器場和主板的電力監控,以及電機控制和負載檢測、電源(不間斷和開關模式)和過流檢測。

如果您需要更多產品信息,請與技術人員聯系:

李工:18576410868(微信同號)




SOP16-芯片級赌钱网電氣參數

STK-616E

參數

符號

單位

Min

Typ

Max

備注

原邊測試電流范圍

I_pn

A

-20


20

STK-616E-20AB




-30


30

STK-616E-30AB




-35


35

STK-616E-35AB




-65


65

STK-616E-65AB

供電電壓

Vcc

V


5


+/-5%

功耗

Icc

mA


5

10


原邊內阻

Rip

mO


0.6



靜態電壓

Voff

V

2.48

2.5

2.52

Vout @ I p=0 A

輸出內阻

R out

Q


1


Vout

增益偏差

G_th

mV/A


100


STK-616E-20AB





66


STK-616E-30AB





38.5


STK-616E-35AB





30.75


STK-616E-65AB

增益誤差

Err_G

%G_th

-1


1

Trimmed in the factory @ 25 C

Note 2)

額定線性度誤差

Non-L

%I pn


±1


±I pn

階躍響應時間

T res

s


3

5

@90% of I pn

頻率帶寬(-3dB)

BW

kHz


100


No RC circuit

輸出電壓噪聲

DC ~ 100 kHz @250 kHz

Vnoise

mVpp


20


STK-616E-20AB

精度 @ 25 C

X

% of I pn


±1


@ 25C

精度 @ -40C~105C

X TRange

% of I pn

-3.5


3.5

-40 C ~ 105C


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